化學氣相沉積薄膜技術
CVD——Chemical vapor deposition
CVD——Chemical vapor deposition
概 念：氣態反應物在一定條件下，通過化學反應，將反應形成的固相產物沉積于基片表面，形成固態薄膜的方法。
基本特征：由反應氣體通過化學反應沉積實現薄膜制備！
設備的基本構成：
主要優勢：1）能形成多種金屬、非金屬和化合物薄膜；
2）組分易于控制，易獲得理想化學計量比，薄膜純度高；
3）成膜速度快、工效高（沉積速率 >>PVD、單爐處理批量大）；
4）沉積溫度高、薄膜致密、結晶完整、表面平滑、內部殘余應力低；
5）沉積繞射性好，可在復雜不規則表面（深孔、大臺階）沉積；
主要缺點：1）沉積溫度高，熱影響顯著，有時甚至具有破壞性；
2）存在基片-氣氛、設備-氣氛間反應，影響基片及設備性能及壽命；
3）設備復雜，工藝控制難度較大。
